| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BU506F датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BU506F датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU506F ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA ; IB= 0; L= 25mH 700 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 1.33A B 5.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 1.33A B 1.3 V ICES Collector Cutoff Current VCE= VCESmax; VBE= 0 VCE= VCESmax; VBE= 0;TJ= 125℃ 0.5 1 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 6V; IC= 0 10 mA hFE DC Current Gain IC= 3A ; VCE= 5V 2.25 Switching Times; Resistive load tstg Storage Time 6.5 μs tf Fall Time IC= 3A , IB(end)= 1A; LB= 12μH 0.7 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |