| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BD808 датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BD808 датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD808 DESCRIPTION ·DC Current Gain - : hFE =30@ IC= -2A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -60V(Min) ·Complement to Type BD807 APPLICATIONS ·Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -70 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current-Continuous -10 A IB B Base Current -6 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 90 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 1.39 ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn |
Аналогичный номер детали - BD808 |
|
Аналогичное описание - BD808 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |