| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD2562 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD2562 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2562 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA, IB= 0 150 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10A ,IB= 10mA 2.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 10A ,IB= 10mA 3.0 V ICBO Collector Cutoff current VCB= 150V, IE= 0 0.1 mA IEBO Emitter Cutoff current VEB= 5V, IC= 0 0.1 mA hFE DC Current Gain IC= 10A; VCE= 4V 5000 COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; ftest= 1MHz 120 pF fT Current-Gain—Bandwidth Product IE= -2A; VCE= 12V 70 MHz Switching Times ton Turn-on Time 0.8 μs tstg Storage Time 4.0 μs tf Fall Time VCC= 40V, RL= 4Ω, IC= 10A; IB1= -IB2= 10mA 1.2 μs hFE Classifications O P Y 5000-12000 6500-20000 15000-30000 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |