 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD2275 датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD2275 датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2275 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 5000( Min.) @(IC= 4A, VCE= 5V) ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max)@ (IC= 4A, IB= 4mA) B ·Complement to Type 2SB1502 APPLICATIONS ·Designed for power amplification. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 5 A ICM Collector Current-Peak 8 A Collector Power Dissipation @Ta=25℃ 3.5 PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ 60 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn |
Аналогичный номер детали - 2SD2275 |
|
Аналогичное описание - 2SD2275 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
