| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD2196 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD2196 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD2196 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=50m A;IB=0 200 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=10 A;IB=30mA 1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=10 A;IB=30mA 2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=200V; IE=0 0.1 mA ICEO Collector cut-off current VCE=200V; IB=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=7V; IC=0 5 mA hFE DC current gain IC=10A ; VCE=3V 1500 30000 fT Transition frequency IC=1.5A ; VCE=10V 20 MHz Switching times ton Turn-on time 2 μs ts Storage time 12 μs tf Fall time IC=10A;RL=3Ω IB1=IB2=30mA;VBB2=4V 5 μs |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |