| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD2111 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD2111 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2111 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 25mA ; RBE= ∞ 120 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 0.1mA; IE= 0 120 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 50mA; IC= 0 7 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1.5A; IB= 3mA 1.5 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 30mA B 3.0 V VBE(sat)-1 Base-Emitter Saturation Voltage IC= 1.5A; IB= 3mA 2.0 V VBE(sat)-2 Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 30mA B 3.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 100V; IE= 0 10 μA ICEO Collector Cutoff Current VCE= 100V; RBE= ∞ 10 μA hFE DC Current Gain IC= 1.5A; VCE= 3V 1000 20000 VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 3A 3.0 V isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |