 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1825 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1825 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
2 / 3 page  Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1825 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=5mA; IE=0 70 V V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=50mA; RBE=∞ 60 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2A ; IB=4mA 1.5 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=2A ; IB=4mA 2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=40V;IE=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V;IC=0 3.0 mA hFE DC current gain IC=2A ; VCE=2V 2000 5000 fT Transition frequency IC=2A ; VCE=5V 20 MHz Switching times ton Turn-on time 0.6 μs ts Storage time 2.7 μs tf Fall time IC=2A; IB1=-IB2=4mA VCC=20V ,RL=10Ω 1.6 μs |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
