| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1762 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1762 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1762 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=1mA , IB=0 50 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=50μA , IE=0 60 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=50μA , IC=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2A ;IB=0.2A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=2A ;IB=0.2A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=40V IE=0 1 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=4V; IC=0 1 μA hFE DC current gain IC=0.5A ; VCE=3V 60 320 fT Transition frequency IE=-0.5A ; VCE=5V;f=30MHz 90 MHz Cob Output capacitance IE=0 ; VCB=10V ,f=1MHz 40 pF hFE Classifications D E F 60-120 100-200 160-320 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |