| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1603 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1603 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1603 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 25mA; RBE= ∞ 60 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 50mA; IC= 0 7 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 8mA B 1.5 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 8A; IB= 80mA B 3.0 V VBE(sat)-1 Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 8mA B 2.0 V VBE(sat)-2 Base-Emitter Saturation Voltage IC= 8A; IB= 80mA B 3.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 60V; IE= 0 100 μA ICEO Collector Cutoff Current VCE= 50V; RBE= ∞ 10 μA hFE DC Current Gain IC= 4A; VCE= 3V 1000 20000 VECF C-E Diode Forward Voltage IF= 8A 3.0 V Switching times ton Turn-on Time 0.5 μs tstg Storage Time 5.0 μs tf Fall Time IC= 4A, IB1= -IB2= 8mA 1.0 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |