| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1213 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1213 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1213 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=1mA ;RBE=∞ 30 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA; IE=0 60 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA; IC=0 6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=8A; IB=0.4A 0.4 V ICBO Collector cut-off current VCB=40V; IE=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=4V; IC=0 0.1 mA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=2V 70 280 hFE-2 DC current gain IC=10A ; VCE=2V 30 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=5V 120 MHz Switching times ton Turn-on time 0.3 μs ts Storage time 0.6 μs tf Fall time IC=10A;IB1=-IB2=-0.5A VCC=10V ;RL=1Ω 0.02 μs hFE-1 Classifications Q R S 70-140 100-200 140-280 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |