| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD849 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD849 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD849 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A; IB=0 600 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown votage IE=10mA; IC=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=3 A;IB=1A 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=3 A;IB=1A 1.5 V VCB=750V;IE=0 0.1 ICBO Collector cut-off current VCB=1500V;IE=0 1.0 mA hFE-1 DC current gain IC=0.5A ; VCE=5V 8 hFE-2 DC current gain IC=3A ; VCE=10V 4 12 tf Fall time 0.9 μs ts Storage time IC=3 A;IBend=1A;LB=20μH 13 μs |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |