| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC3352 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC3352 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3352 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=10mA , IB=0 500 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=1A; IB=0.2A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=1A; IB=0.2A 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=800V; IE=0 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 0.1 mA hFE-1 DC current gain IC=0.1A ; VCE=5V 15 hFE-2 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 8 fT Transition frequency IC=0.2A ; VCE=10V 2.5 MHz Switching times ton Turn-on time 1.0 μs tstg Storage time 3.0 μs tf Fall time IC=1A; IB1=-IB2=0.2A VCC=200V 1.0 μs |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |