| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SB1230 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB1230 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SB1230 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-5mA;RBE=∞ -100 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-1mA; IE=0 -110 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA; IC=0 -6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-6A; IB=-0.6A -0.8 V VBE sat Base-emitter saturation voltage IC=-6A; IB=-0.6A -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-100V; IE=0 -100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -100 μA hFE-1 DC current gain IC=-1.5A ; VCE=-2V 50 140 hFE-2 DC current gain IC=-6A ; VCE=-2V 20 hFE-1 Classifications P Q 50-100 70-140 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |