| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SB755 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB755 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SB755 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-0.1A; IB=0 -150 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-10mA; IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-5 A;IB=-0.5 A -2.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-5A ; VCE=-5V -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-150V; IE=0 -50 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -50 μA hFE DC current gain IC=-1A ; VCE=-5V 55 160 fT Transition frequency IC=-1A ; VCE=-10V 20 MHz COB Output capacitance IE=0; VCB=-10V;f=1MHz 450 pF hFE classifications R O 55-110 80-160 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |