| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SA754 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SA754 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor 2SA754 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= -5mA; IE= 0 -50 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -50mA; RBE= ∞ -50 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= -5mA; IC= 0 -4 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -1.5A; IB= -0.15A B -1.3 V VBE(on) Collector-Emitter On Voltage IC= -1A; VCE= -4V -1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= -20V; IE= 0 -100 μA hFE-1 DC Current Gain IC= -1A; VCE= -4V 35 200 hFE-2 DC Current Gain IC= -0.1A; VCE= -4V 35 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -0.5A; VCE= -4V 50 MHz hFE-1 Classifications A B C 35-70 50-120 100-200 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |