 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
2N6671 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N6671 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
2 / 3 page  Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2N6671 2N6672 2N6673 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT 2N6671 300 2N6672 350 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage 2N6673 IC=0.2A ;IB=0 400 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=5A; IB=1A 1.0 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=8A ;IB=4A 2.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=5A; IB=1A 1.6 V 2N6671 VCE=450V; VBE(off)=-1.5V 2N6672 VCE=550V; VBE(off)=-1.5V ICEV Collector cut-off current 2N6673 VCE=650V; VBE(off)=-1.5V 0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=8V; IC=0 2.0 mA hFE DC current gain IC=5A ; VCE=3V 10 40 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=10V;f=0.1MHz 300 pF fT Transition frequency IC=0.2A ; VCE=10V 15 60 MHz THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Rth j-c Thermal resistance junction to case 1.17 ℃/W |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
