 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
2N6354 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N6354 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
2 / 3 page  Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2N6354 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdwon voltage IC=0.2A ;IB=0 120 V V(BR)EBO Emitter-base breakdwon voltage IE=5m A ;IC=0 6.5 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=5A ;IB=0.5A 0.5 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=10A; IB=1A 1.0 V VBE sat-1 Base-emitter saturation voltage IC=5A ;IB=0.5A 1.3 V VBE sat-2 Base-emitter saturation voltage IC=10A; IB=1A 2.0 V ICEO Collector cut-off current VCE=100V;VBE=0 TC=125℃ 10 mA ICEV Collector cut-off current VCE=140V; IB=0 10 20 mA ICBO Collector cut-off current VCB=150V; IE=0 5 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 5 mA hFE-1 DC current gain IC=5A ; VCE=2V 20 150 hFE-2 DC current gain IC=10A ; VCE=2V 10 100 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
