поискавой системы для электроныых деталей
  Russian  ▼
ALLDATASHEETRU.COM

X  

LS120A_SOIC датащи(PDF) 1 Page - Micross Components

номер детали LS120A_SOIC
подробное описание детали  MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
PDF  1 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
производитель  MICROSS [Micross Components]
домашняя страница  http://www.micross.com
Logo MICROSS - Micross Components

LS120A_SOIC датащи(HTML) 1 Page - Micross Components

  LS120A_SOIC Datasheet HTML 1Page - Micross Components  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 1 / 1 page
background image
Click To Buy
Information furnished by Linear Integrated Systems and Micross Components is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed for its use; nor for any infringement of patents or
other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Linear Integrated Systems.
FEATURES 
Direct Replacement for INTERSIL LS120A 
HIGH  hFE @ LOW CURRENT ≥ 200 @ 10µA 
OUTPUT CAPACITANCE ≤ 2.0pF 
VBE tracking
≤ 3.0µV°C 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 
1 
@ 25°C (unless otherwise noted) 
Maximum Temperatures 
Storage Temperature ‐65°C to +200°C 
Operating Junction Temperature ‐55°C to +150°C 
Maximum Power Dissipation 
Continuous Power Dissipation (One side) 
250mW 
Continuous Power Dissipation (Both sides) 
500mW 
Linear Derating factor (One side) 
2.3mW/°C 
Linear Derating factor (Both sides) 
4.3mW/°C 
Maximum Currents 
Collector Current 
10mA 
  
MATCHING CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise stated) 
SYMBOL 
CHARACTERISTIC 
MIN 
TYP 
MAX 
UNITS 
CONDITIONS 
|VBE1 – VBE2 
Base Emitter Voltage Differential 
‐‐ 
‐‐ 
mV 
I= 10µA, VCE = 5V 
∆|(VBE1 – VBE2)| / ∆T 
 
Base Emitter Voltage Differential 
Change with Temperature 
‐‐ 
‐‐ 
µV/°C 
IC = 10µA, VCE = 5V 
TA = ‐55°C to +125°C 
|IB1 – IB2 | 
Base Current Differential 
‐‐ 
‐‐ 
2.5 
nA 
IC = 10µA, VCE = 5V 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL 
CHARACTERISTICS 
MIN. 
TYP. 
MAX. 
UNITS 
CONDITIONS 
BVCBO 
Collector to Base Voltage 
45 
‐‐ 
‐‐ 
IC = 10µA, IE = 0 
BVCEO 
Collector to Emitter Voltage 
45 
‐‐ 
‐‐ 
I= 10µA, I= 0 
BVEBO 
Emitter‐Base Breakdown Voltage 
6.2 
‐‐ 
‐‐ 
I= 10µA, I= 0
2 
BVCCO 
Collector to Collector Voltage 
60 
‐‐ 
‐‐ 
I= 10µA, I= 0 
hFE 
DC Current Gain 
200 
‐‐ 
‐‐ 
 
I= 10µA, VCE = 5V 
225 
‐‐ 
‐‐ 
 
I= 1.0mA, VCE = 5V 
VCE(SAT) 
Collector Saturation Voltage 
‐‐ 
‐‐ 
0.5 
I= 0.5mA, I= 0.05mA 
IEBO 
Emitter Cutoff Current 
‐‐ 
‐‐ 
nA 
I= 0, VEB = 3V 
ICBO 
Collector Cutoff Current 
‐‐ 
‐‐ 
nA 
I= 0, VCB = 45V 
COBO 
Output Capacitance 
‐‐ 
‐‐ 
pF 
I= 0, VCB = 5V 
CC1C2 
Collector to Collector Capacitance 
‐‐ 
‐‐ 
pF 
VCC = 0V 
IC1C2 
Collector to Collector Leakage Current 
‐‐ 
‐‐ 
10 
nA 
VCC = ±60V 
fT 
Current Gain Bandwidth Product 
220 
‐‐ 
‐‐ 
MHz 
I= 1mA, VCE = 5V 
NF 
Narrow Band Noise Figure 
‐‐ 
‐‐ 
dB 
I= 100µA,  VCE = 5V, BW=200Hz, RG= 10KΩ, 
f = 1KHz 
Notes: 
1. Absolute Maximum ratings are limiting values above which serviceability may be impaired
2. The reverse base‐to‐emitter voltage must never exceed 6.2 volts; the reverse base‐to‐emitter current must never exceed 10µA. 
 
LS120A
MONOLITHIC DUAL
NPN TRANSISTOR
LS120A Features:
High hfe at low current
Tight matching
Tight VBE tracking
Low Output Capacitance
The LS120A is a monolithic pair of NPN transistors
mounted in a single SOIC package. The monolithic dual
chip design reduces parasitics and gives better
performance while ensuring extremely tight matching.
The LS120A is a direct replacement for discontinued
Intersil IT120A.
The 8 Pin SOIC provides ease of manufacturing, and
the symmetrical pinout prevents improper orientation.
(See Packaging Information).
Linear Systems replaces discontinued Intersil IT120A
Available Packages:
LS120A in SOIC
LS120A available as bare die
Please contact Micross for full package and die dimensions:
Email: chipcomponents@micross.com
Web: www.micross.com/distribution.aspx
SOIC (Top View)


Аналогичный номер детали - LS120A_SOIC

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Micross Components
LS120A_SOT-23 MICROSS-LS120A_SOT-23 Datasheet
271Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
More results

Аналогичное описание - LS120A_SOIC

производительномер деталидатащиподробное описание детали
logo
Micross Components
LS120_TO-71 MICROSS-LS120_TO-71 Datasheet
289Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS120A_TO-71 MICROSS-LS120A_TO-71 Datasheet
290Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS120A_TO-78 MICROSS-LS120A_TO-78 Datasheet
290Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS124_SOT-23 MICROSS-LS124_SOT-23 Datasheet
271Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS303_SOT-23 MICROSS-LS303_SOT-23 Datasheet
271Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS310_PDIP MICROSS-LS310_PDIP Datasheet
276Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS310_TO-78 MICROSS-LS310_TO-78 Datasheet
284Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS311_SOIC MICROSS-LS311_SOIC Datasheet
275Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS311_TO-71 MICROSS-LS311_TO-71 Datasheet
283Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
LS318_SOIC MICROSS-LS318_SOIC Datasheet
287Kb / 1P
MONOLITHIC DUAL NPN TRANSISTOR
More results


Html Pages

1


датащи скачать

Go To PDF Page


ссылки URL



Вашему бизинису помогли Аллдатащит?  [ DONATE ] 

Что такое Аллдатащит   |   реклама   |   контакт   |   Конфиденциальность   |   Ссылка на техническое описание    |   обмен ссыками   |   поиск по производителю
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com