| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXFP102N15T датащи(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXFP102N15T датащи(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
|
4 / 6 page ![]() IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions. IXFA102N15T IXFH102N15T IXFP102N15T Fig. 7. Input Admittance 0 20 40 60 80 100 120 140 160 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 VGS - Volts TJ = 150ºC 25ºC - 40ºC Fig. 8. Transconductance 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 0 20 40 60 80 100 120 140 160 ID - Amperes TJ = - 40ºC 150ºC 25ºC Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 275 300 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 VSD - Volts TJ = 150ºC TJ = 25ºC Fig. 10. Gate Charge 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 10203040506070 8090 QG - NanoCoulombs VDS = 75V I D = 51A I G = 10mA Fig. 11. Capacitance 10 100 1,000 10,000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VDS - Volts f = 1 MHz Ciss Crss Coss Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area 0.1 1.0 10.0 100.0 1000.0 1 10 100 1000 VDS - Volts TJ = 175ºC TC = 25ºC Single Pulse RDS(on) Limit 25µs 100µs 1ms 10ms 100ms DC IXYS REF: F_102N15T(6E)9-30-08 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |