| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXFN200N10P датащи(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXFN200N10P датащи(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
|
4 / 5 page ![]() IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions. IXFN 200N10P Fig. 11. Capacitance 100 1,000 10,000 100,000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 V DS - V olts C iss C oss C rss f = 1MH z Fig. 10. Gate Char ge 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 Q G - nanoCoulombs V DS = 50V I D = 100A I G = 10m A Fig. 7. Input Adm ittance 0 50 100 150 200 250 300 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 V G S - V olts T J = 150ºC 25 ºC -40 ºC Fig. 8. Tr ans conductance 0 20 40 60 80 100 120 140 0 50 100 150 200 250 300 350 I D - A mperes T J = -40ºC 25 ºC 150 ºC Fig. 9. Sour ce Cur r e nt vs . Sour ce -To-Dr ain V oltage 0 50 100 150 200 250 300 350 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 V S D - V olts T J = 150ºC T J = 25ºC Fig . 12 . Fo r w ar d - Bia s S a f e O p e r a t in g Ar e a 10 10 0 10 00 1 1 0 1 0 0 10 00 V D S - V o lts 10 0µ s 1m s DC T J = 1 7 5 ºC T C = 2 5 ºC R D S (on) Lim it 10 m s |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |