| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SJ668 датащи(PDF) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SJ668 датащи(HTML) 4 Page - Toshiba Semiconductor |
|
4 / 6 page ![]() 2SJ668 2009-07-13 4 Vth − Tc Case temperature Tc (°C) 0 −80 0 40 80 120 160 −40 −2.0 −0.4 −1.2 −0.8 −1.6 Common source VDS = −10 V ID = 1 mA Pulse test Capacitance – VDS Drain-source voltage VDS (V) 10 100 1000 10000 −0.1 −1 −10 −100 Ciss Coss Crss Common source VGS = 0 V f = 1 MHz Tc = 25°C RDS (ON) − Tc Case temperature Tc (°C) 0 0.4 0.1 0.3 0.2 −40 −80 160 0 40 120 80 Common source Pulse test ID = −5 A −2.5 −1.2 VGS = −10 V VGS = −4 V −5 −2.5 −1.2 IDR − VDS Drain-source voltage VDS (V) 0.1 10 0.2 0 1.2 0.6 0.4 0.8 1.0 Common source Tc = 25°C Pulse test −10 −5 −3 −1 VGS = 0 V 1 Case temperature Tc (°C) PD − Tc 40 10 20 30 0 0 80 200 40 160 120 Total gate charge Qg (nC) Dynamic input/output characteristics −50 −40 0 −30 −20 −10 0 25 30 10 5 −10 −5 −20 −25 0 −15 VGS VDS VDD = −48 V −12V −24V Common source ID = −5 A Ta = 25°C Pulse test 20 15 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |