 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC5355 датащи(PDF) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC5355 датащи(HTML) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
1 / 4 page  2SC5355 2005-02-01 1 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type 2SC5355 High Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications • Excellent switching times: tr = 0.5 µs (max), tf = 0.3 µs (max) • High collector breakdown voltage: VCEO = 400 V • High DC current gain: hFE = 20 (min) Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 600 V Collector-emitter voltage VCEO 400 V Emitter-base voltage VEBO 7 V DC IC 5 Collector current Pulse ICP 7 A Base current IB 1 A Ta = 25°C 1.5 Collector power dissipation Tc = 25°C PC 25 W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature range Tstg −55~150 °C Unit: mm JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-7B5A Weight: 0.36 g (typ.) JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-7B7A Weight: 0.36 g (typ.) |
Аналогичный номер детали - 2SC5355 |
|
Аналогичное описание - 2SC5355 |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
