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S30SC6MT датащи(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

номер детали S30SC6MT
подробное описание детали  Schottky Barrier Diode
PDF  2 Pages
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производитель  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
домашняя страница  http://www.shindengen.co.jp/
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S30SC6MT датащи(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

  S30SC6MT Datasheet HTML 1Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd S30SC6MT Datasheet HTML 2Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
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background image
（J533-P〈2010.
06〉）
www.
s
hi
ndengen.
co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
４０
０
３０
３５
２５
２０
１５
１０
５
順方向特性
Forward Voltage
１０
０．
１
１００
１
０
０．
５
２
１．
５
１
Tc＝１５０℃（MAX）
Tc＝１５０℃（TYP）
Tc＝ ２５℃（MAX）
Tc＝ ２５℃（TYP）
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
４００
２５０
２００
１５０
３００
３５０
１００
５０
０１
１００
５０
１０
５
２
２０
１cycle
１０ms１０ms
Sine wave
Non-repetitive
Tj＝２５℃
DC
D＝０．
８
０．
５
０．
３
０．
２
０．
１
０．
０５
SIN
DC
D＝０．
８
０．
５
０．
３
０．
２
０．
１
０．
０５
SIN
接合容量
Junction Capacitance
逆電力損失曲線
Reverse Power Dissipation
逆方向特性
Reverse Current
５０００
１０
１０００
１００
５００
５０
２０００
２００
２０
０．
１
６０
２０
１０
１
５
０．
５
２
０．
２
０
１５
２０
５
１０
２５
３０
３５
４０
０２０
１０３０７０
６０
５０
４０
１０００
０．
０１
０．
００１
０．
１
１
１００
１０
０
１０
２０
５０
６０
３０
４０
Tj＝１５０℃
D＝tp/T
T
tp
０
IO
DC
D＝０．
０５
０．
１
０．
２
０．
３
０．
５
SIN
０．
８
DC
D＝０．
０５
０．
１
０．
２
０．
３
０．
５
SIN
０．
８
Tc＝１００℃（TYP）
Tc＝１５０℃（TYP）
Tc＝１２５℃（TYP）
Tc＝ ７５℃（TYP）
Tc＝ ５０℃（TYP）
Tc＝ ２５℃（TYP）
Tj＝１５０℃
D＝tp/T
T
tp
０
VR
０
１０
３０
４０
５０
２０
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１０
０.０１
１
０.１
１０-４
１０-３
１０-２
１０-１
１００
１０１
ディレーティングカーブ Tc-Io
Derating Curve Tc-Io
０
１０
２０
３０
６０
４０
５０
０
２０
４０
６０
８０ １００
１６０
１４０
１２０
DC
D＝０．
８
０．
５
SIN
０．
３
０．
２
０．
１
０．
０５
DC
D＝０．
８
０．
５
SIN
０．
３
０．
２
０．
１
０．
０５
D＝tp/T
VR＝３０V
T
tp
０
０
IO
VR
Case Temperature Tc 〔℃〕
θ
θjcjc
θjc
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
Per diode
Pulse measurement
Per diode
Pulse measurement
Per diode
Forward Voltage VF〔V〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Number of Cycles 〔cycle〕
Reverse Voltage VR〔V〕
Reverse Voltage VR〔V〕
Reverse Voltage VR〔V〕
Time t〔s〕
S30SC6MT
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.



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