S5T8808A01-R0B0 datasheet(5/12 Pages) SAMSUNG

номер детали	S5T8808A01-R0B0

подробное описание детали	PLL FREQUENCY SHNTHESIZER FOR PAGER

PDF	12 Pages

Scroll/Zoom	100%

производитель	SAMSUNG [Samsung semiconductor]

домашняя страница	http://www.samsung.com/Products/Semiconductor

Logo

5 / 12 page

PLL FREQUENCY SHNTHESIZER FOR PAGER

S5T8808A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Ta = 25

°C, V

DD1 = 1.0V, VDD2 = 3.0V, unless otherwise specified)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Supply Voltage

VDD ~ VDD2

−0.3 ~ +4.0

Input Voltage

VSS − 0.3 ~ VDD + 0.3

Power Dissipation

350

Operating Temperature

TOPR

−25 ~ +75

°C

Storage Temperature

TSTG

−40 ~ +125

°C

Characteristic

Symbol

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Operating voltage

VDD1

−

0.95

1.0

2.0

VDD2

−

2.0

3.0

3.3

Operating current

IDD1

FOSCI = 12.8MHz

@ 0.3VP-P

VDD1 = 1.0V

VDD2 = 1.0V

FFIN = 90MHz

−

0.6

−

IDD2

FFIN = 150MHz

−

0.9

−

Standby current

ISB

VDD1 = 0V, VDD2 = 3.0V

−

µA

Input Voltage

(DATA, CLK, EN, BS)

VIL

−

0.3

VIH

−

VDD3-0.3

−

Input current

(Fin, Xin)

VIH

VIH = VDD1

−

µA

VIL

VIL = 0V

−

Input frequency

FFIN

FFIN = 0.5VP-P

VDD1 = 0.95V

−

120

MHz

VDD1 = 1.0V

−

165

FOSCI

VOSCI = 0.5VP-P

−

Output current

(PDA, PDP)

IOH1

VOH = 0.4V

1.0

−

IOL1

VOL = VDD1 - 0.4V

1.0

−

Output current

(Fr, Fn, LDT)

IOH2

VOH = 0.4V

0.1

−

IOL2

VOL = VDD1 - 0.4V

0.1

−

Setup-time

(DATA-CLK, CLK-EN)

−

µS

Hold time

−

µS

S5T8808A01-R0B0 датащи(PDF) 5 Page - Samsung semiconductor

S5T8808A01-R0B0 датащи(HTML) 5 Page - Samsung semiconductor

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

датащи скачать

ссылки URL