 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
PDTC124EU датащи(PDF) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PDTC124EU датащи(HTML) 5 Page - NXP Semiconductors |
|
|
5 / 14 page  2004 Aug 17 5 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k Ω, R2 = 22 kΩ PDTC124E series CHARACTERISTICS Tamb = 25 °C unless otherwise specified. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT ICBO collector-base cut-off current VCB = 50 V; IE = 0 − − 100 nA ICEO collector-emitter cut-off current VCE = 30 V; IB = 0 − − 1 μA VCE = 30 V; IB = 0; Tj = 150 °C − − 50 μA IEBO emitter-base cut-off current VEB = 5 V; IC = 0 − − 180 μA hFE DC current gain VCE = 5 V; IC = 5 mA 60 − − VCEsat collector-emitter saturation voltage IC = 10 mA; IB = 0.5 mA − − 150 mV Vi(off) input-off voltage IC = 100 μA; VCE = 5 V − 1.1 0.8 V Vi(on) input-on voltage IC = 5 mA; VCE = 0.3 V 2.5 1.7 − V R1 input resistor 15.4 22 28.6 k Ω resistor ratio 0.8 1 1.2 Cc collector capacitance IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz − − 2.5 pF R2 R1 -------- |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
