| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SB900 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB900 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB900 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-1mA; IB=0 -50 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-1mA; IE=0 -50 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-1mA; IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2A; IB=-0.2A -1.0 V VBE Base-emitter on voltage IC=-2A ; VCE=-4V -1.4 V ICBO Collector cut-off current VCB=-50V; IE=0 -0.1 mA ICEO Collector cut-off current VCE=-50V; IE=0 -1.0 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -0.1 mA hFE DC current gain IC=-1A ; VCE=-4V 40 2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |