| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SB1400 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB1400 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1400 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-25mA; RBE=∞ -120 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-100μA; IE=0 -120 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-50mA; IC=0 -7 V VCEsat-1 Collector-emitter saturation voltage IC=-3A ;IB=-6mA B -1.5 V VCEsat-2 Collector-emitter saturation voltage IC=-6A ;IB=-60mA B -3.0 V VBEsat-1 Base-emitter saturation voltage IC=-3A ;IB=-6mA B -2.0 V VBEsat-2 Base-emitter saturation voltage IC=-6A ;IB=-60mA B -3.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-100V; IE=0 -10 μA ICEO Collector cut-off current VCE=-100V; RBE=∞ -10 μA hFE DC current gain IC=-3A ; VCE=-3V 1000 20000 2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |