| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1380 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1380 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1380 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=1mA ;IB=0 32 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=50μA ;IE=0 40 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=50μA ;IC=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2.0A; IB=0.2A 0.5 0.8 V ICBO Collector cut-off current VCB=20V; IE=0 1 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=4V; IC=0 1 μA hFE DC current gain IC=0.5A ; VCE=3V 82 390 fT Transition frequency IE=-0.5A ; VCE=5V 100 MHz COB Collector output capacitance IE=0; f=1MHz ; VCB=10V 30 pF hFE Classifications P Q R 82-180 120-270 180-390 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |