| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1263 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1263 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 4 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SD1263 2SD1263A CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT 2SD1263 250 VCEO Collector-emitter voltage 2SD1263A IC=30mA ,IB=0 300 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=1A, IB=0.2A 1.0 V VBE Base-emitter voltage IC=1A ; VCE=10V 1.5 V IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 1.0 mA 2SD1263 VCE=150V; IB=0 1.0 mA ICEO Collector cut-off current 2SD1263A VCE=200V; IB=0 1.0 mA 2SD1263 VCE=350V; VBE=0 1.0 mA ICES Collector cut-off current 2SD1263A VCE=400V; VBE=0 1.0 mA hFE-1 DC current gain IC=0.3A ; VCE=10V 70 250 hFE-2 DC current gain IC=1A ; VCE=10V 10 fT Transition frequency IC=0.5A; VCE=5V,f=10MHz 30 MHz Switching times ton Turn-on time 0.5 μs ts Storage time 2 μs tf Fall time IC=1A;IB1=-IB2=0.1A VCC=50V 0.5 μs hFE-1 Classifications Q P 70-150 120-250 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |