| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SD1162 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1162 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1162 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA ; IB= 0 300 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 5mA B 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 5mA B 2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 400V; IE= 0 10 μA hFE-1 DC Current Gain IC= 2A ; VCE= 2V 400 3000 hFE-2 DC Current Gain IC= 3A ; VCE= 2V 100 Switching Times ton Turn-On Time 1.0 μs ts Storage Time 12 μs tf Fall Time IC= 3A; IB1= -IB2= 30mA; RL= 50Ω,VCC≈150V 6 μs hFE-1 Classifications M L K 400-800 600-1200 1000-3000 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |