| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SA886 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SA886 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 4 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA886 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-2mA;IB=0 -40 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-1mA ;IE=0 -50 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-1.5A ;IB=-0.15A -1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-2A ;IB=-0.2A B -1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=-20V; IE=0 -1 μA ICEO Collector cut-off current VCE=-10V; IB=0 -100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -10 μA hFE DC current gain IC=-1A ; VCE=-5V 80 220 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=-20V;f=1MHz 45 pF fT Transition frequency IC=0.5A ; VCB=-5V,f=200MHz 150 MHz hFE Classifications Q R 80-160 120-220 2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |