| поискавой системы для электроныых деталей |
|
HSB276AS датащи(PDF) 2 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HSB276AS датащи(HTML) 2 Page - Renesas Technology Corp |
|
2 / 5 page ![]() HSB276AS Rev.1.00 Apr 06, 2005 page 2 of 4 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C) Item Symbol Value Unit Repetitive peak reverse voltage VRRM 5 V Reverse voltage VR 3 V Average rectified current IO *1 30 mA Junction temperature Tj 125 °C Storage temperature Tstg −55 to +125 °C Note: 1. Per one device Electrical Characteristics *1 (Ta = 25 °C) Item Symbol Min Typ Max Unit Test Condition Reverse voltage VR 3 — — V IR = 1 mA Reverse current IR — — 50 µA VR = 0.5 V Forward current IF 35 — — mA VF = 0.5V Capacitance C — — 0.90 pF VR = 0.5 V, f = 1 MHz Capacitance deviation ∆C — — 0.10 pF VR = 0.5 V, f = 1 MHz ESD-Capability * 2 — 30 — — V C = 200 pF, R = 0 Ω , Both forward and reverse direction 1 pulse. Notes: 1. Per one device 2. Failure criterion ; IR ≥ 100 µA at VR = 0.5 V |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |