| поискавой системы для электроныых деталей |
|
BU900TP датащи(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BU900TP датащи(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
|
3 / 8 page ![]() BU900TP Electrical characteristics 3/8 2 Electrical characteristics (Tcase = 25°C unless otherwise specified) Table 4. Electrical characteristics Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit IEBO Emitter cut-off current (IC = 0) VEB = 8 V 100 µA ICES Collector cut-off current (VBE = 0) VCE = 370 V 100 µA V(BR)CES Collector-emitter breakdown voltage (VBE = 0) IC = 50 mA 370 660 V VCE(sat) (1) 1. Pulsed duration = 300 ms, duty cycle ≤1.5% Collector-emitter saturation voltage IC = 2.5 A _ IB = 1 mA IC = 3 A _ _ IB = 3 mA 4 4 V V VBE(sat) (1) Base-emitter saturation voltage IC = 3 A _ IB = 3 mA 3.5 V hFE DC current gain IC = 1 A _ VCE = 5 V 7000 VF Diode forward voltage IC = 5 A 18 V Es/b (1) Secondary breakdown energy IC = 4 A L = 10 mH 80 mJ |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |