| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STTH60L06TV2 датащи(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STTH60L06TV2 датащи(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
|
4 / 7 page ![]() Characteristics STTH60L06TV 4/7 Figure 7. Reverse recovery softness factor versus dIF/dt (typical values, per diode) Figure 8. Relative variations of dynamic parameters versus junction temperature 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 S factor dI /dt(A/µs) F I < 2 x I T =125°C F F(AV) j V =400V R 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 25 50 75 100 125 IRM trr S factor T (°C) j I=I Reference: T =125°C F F(AV) j V =400V R QRR Figure 9. Transient peak forward voltage versus dIF/dt (typical values, per diode) Figure 10. Forward recovery time versus dIF/dt (typical values, per diode) Figure 11. Junction capacitance versus reverse voltage applied (typical values, per diode) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 V (V) FP dI /dt(A/µs) F I=I T =125°C F F(AV) j 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 0 100 200 300 400 500 t (ns) fr dI /dt(A/µs) F I=I T =125°C F F(AV) j V =1.1 x V max. FR F 10 100 1000 1 10 100 1000 C(pF) V (V) R F=1MHz V =30mV T =25°C OSC RMS j |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |