| поискавой системы для электроныых деталей |
|
RT3CLLM датащи(PDF) 2 Page - Isahaya Electronics Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
RT3CLLM датащи(HTML) 2 Page - Isahaya Electronics Corporation |
|
2 / 4 page ![]() PRELIMINARY RT3CLLM Compound Transistor For Low Frequency Amplify Application Silicon Npn Epitaxial Type ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃) Limits Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit V(BR)CEO Collector to Emitter break down voltage IC=100μA,RBE=∞ 50 - - V ICBO Collector cut off current VCB =50V,IE=0 - - 0.1 μ A IEBO Emitter cut off current VEB=6V,IC=0 - - 0.1 μ A hFE* DC forward current gain VCE=6V,IC=1mA 150 - 800 - hFE DC forward current gain VCE=6V,IC=0.1mA 90 - - - VCE(sat) Collector to Emitter saturation voltage IC=100mA,IB=10mA - - 0.3 V fT Gain band width product VCE=6V,IE=-10mA - 200 - MHZ Cob Collector output capacitance VCB=6V,IE=0,f=1MHZ - 2.5 - pF NF Noise figure VCE=6V,IE=-0.1mA,f=1kHZ,RG=2kΩ - - 15 dB * : It shows hFE classification in right table. Item E F G hFE 150~300 250~500 400~800 ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |