| поискавой системы для электроныых деталей |
|
SO2222 датащи(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SO2222 датащи(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
|
3 / 5 page ![]() ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Continued) Symb ol Parameter Test Cond ition s Mi n. Typ . Max. Un it CEB Emitt er Base Capacitance IE =0 VEB =0.5 V f =1MHz for SO2222 for SO2222A 30 25 pF pF NF Noise Figure IC =0.1 mA VCE =10 V f = 1 KHz ∆f = 200 Hz RG =1 KΩ for SO2222A onl y 4dB hie ∗ Input Impedance VCE =10 V IC =1 mA f = 1 KHz VCE =10 V IC =10 mA f = 1 KHz for SO2222A onl y 2 0.25 8 1.25 K Ω K Ω hre ∗ Reverse Voltage Ratio VCE =10 V IC =1 mA f = 1 KHz VCE =10 V IC =10 mA f = 1 KHz for SO2222A onl y 8 4 10 -4 10 -4 hfe ∗ Small Signal Current Gain VCE =10 V IC =1 mA f = 1 KHz VCE =10 V IC =10 mA f = 1 KHz for SO2222A onl y 50 75 300 375 hoe ∗ Output Admittance VCE =10 V IC =1 mA f = 1 KHz VCE =10 V IC =10 mA f = 1 KHz for SO2222A onl y 5 25 35 200 µS µS td Delay Time IC =-150 mA VBE =-0.5 V for SO2222A onl y 10 ns tr Rise Time 25 ns ts St orage Time IC =150 mA IB1 =-IB2 =15mA for SO2222A onl y 225 ns tf Fall T ime 60 ns ∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2% SO2222/SO2222A 3/5 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |