| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXTY1N100P датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTY1N100P датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc N-Channel MOSFET Transistor IXTY1N100P www.iscsemi.com V2.0 1 FEATURES · Drain Current -ID= 1.0A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 15Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · AC and DC Motor Drives · Lasers Drivers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ± 20 V ID Drain Current-Continuous 1.0 A IDM Drain Current-Pulsed Pulse Width Limited by TJM 1.8 A PD Total Dissipation 50 W TJ Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 2.5 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - IXTY1N100P |
|
Аналогичное описание - IXTY1N100P |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |