| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXEN60N120 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXEN60N120 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() ISGM2230 eq IXEN60N120 IGBT www.iscsemi.com 2 THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case IGBT 0.28 ℃ /W STATIC CHARACTERISTICS(TJ = 25 °C unless otherwise specified) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT VCES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE=0V, IC= 0.25mA 1200 -- -- V VGE(th) Gate-Emitter Threshold Voltage VGE= VCE, IC= 2mA 4.5 -- 6.5 V VCE(sat) Collector-Emitter On Voltage IC= 60A, VGE= 15V -- -- 2.7 V ICES Zero Gate Voltage Collector Current VCE= 1200V, VGE= 0V -- -- 0.1 mA IGES Gate-Emitter Leakage Current VGE=±20V, VCE= 0V -- -- ± 200 nA PACKAGE OUTLINE (UNIT: mm): |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |