| поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXTN80N30L2 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTN80N30L2 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() isc N-Channel MOSFET Transistor IXTN80N30L2 www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TC=25℃ unless otherwise specified) SYMBO L PARAMETER CONDITIONS MIN Typ MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0V; ID= 1mA 300 -- -- V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 300V; VGS= 0V -- -- 10 uA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±20V;VDS= 0V -- -- ± 200 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS =VGS; ID= 3mA 2.5 -- 5.5 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID= 40A -- -- 38 mΩ VSD Forward On-Voltage IS= 80A; VGS= 0V -- -- 1.4 V Ciss Input Capacitance VGS=0V,VDS=25V,f=1MHZ -- 18500 -- pF Coss Output Capacitance -- 1650 -- Crss Reverse Transfer Capacitance -- 450 -- tdon Turn-on Delay Time ID=31A,VDD=250V,VGS=15V, RG=10Ω -- 40 -- ns tr Rise Time -- 186 -- tdoff Turn-Off Delay Time -- 165 -- tf Fall Time -- 68 -- Qg Total Gate Charge ID=31A,VDD=250V,VGS=20V, -- 650 -- nC Qgs Gate to Source Charge -- 115 -- Qgd Gate to Drain (“Miller”)Charge -- 350 -- trr Reverse Recovery Time IS=31A,di/dt=100A/us, VGS=0V -- 500 -- ns Qrr Reverse Recovery Charge -- 960 -- nC |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |