 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXTY18P10T датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTY18P10T датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  isc P-Channel MOSFET Transistor IXTY18P10T www.iscsemi.com 1 FEATURES · Drain Current -ID= -18A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.12Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · DC Choppers · Current Regulators · Battery Charger Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage -100 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ± 15 V ID Drain Current-Continuous -18 A IDM Drain Current-Single Pulse -60 A PD Total Dissipation 83 W TJ Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 1.5 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - IXTY18P10T |
|
Аналогичное описание - IXTY18P10T |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
