F 0094U

F 0094V

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, 300 µm Kantenlänge)

GaAs Infrared Light Emitting Diode (950 nm, 12 mil)

Vorläufige Daten / Preliminary data

2002-02-04

1

Wesentliche Merkmale

• Typ. Gesamtleistung: 15 mW @ 100 mA im

TOPLED

• Chipgröße 300 x 300

• GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad

• Gute Linearität (I

• Gleichstrom- oder Impulsbetrieb möglich

• Hohe Zuverlässigkeit

• Hohe Impulsbelastbarkeit

Anwendungen

• Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb, Lochstreifenleser

• Industrieelektronik

•„Messen/Steuern/Regeln“

• Automobiltechnik

• Sensorik

• Alarm- und Sicherungssysteme

• IR-Freiraumübertragung

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

F 0094U

on request

Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß,

Oberfläche aufgerauht

Infrared emitting die, top side anode connection, surface

frosted

F 0094V

Q67220-C1268

Infrarot emittierender Chip, Oberseite Anodenanschluß

Infrared emitting die, top side anode connection

Features

• Typ. total radiant power: 15 mW @ 100 mA in

TOPLED

• Chip size 300 x 300

• Very highly efficient GaAs LED

• Good linearity (I

• DC or pulsed operations are possible

• High reliability

• High pulse handling capability

Applications

• Miniature photointerrupters

• Industrial electronics

• Drive and control circuits

• Automotive technology

• Sensor technology

• Alarm and safety equipment

• IR free air transmission