| поискавой системы для электроныых деталей |
|
AP30G10GD датащи(PDF) 6 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP30G10GD датащи(HTML) 6 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
6 / 10 page ![]() AP30G10GD 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET AP30G10GD REV1.0 永源微電子科技有限公司 P- Typical Characteristics Figure 1. Output Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics Figure 3. Forward Characteristics of Reverse Figure 4. RDS(ON) vs. VGS Figure 5. RDS(ON) vs. ID Figure 6. Normalized RDS(on) vs. Temperature |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |