| поискавой системы для электроныых деталей |
|
AP4N10AI датащи(PDF) 4 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP4N10AI датащи(HTML) 4 Page - A POWER MICROELECTRONICS |
|
4 / 7 page ![]() AP4N10AI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET AP4N10AI REV1.0 永源微電子科技有限公司 Figure 7. Capacitance Characteristics Figure 8. Gate Charge Characteristics Figure 9. Power Dissipation Figure10. Safe Operating Area Figure 11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |