 |
поискавой системы для электроныых деталей |
|
|
поискавой системы для электроныых деталей |
|
IXTP26P20P датащи(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTP26P20P датащи(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
1 / 2 page  isc P-Channel MOSFET Transistor IXTP26P20P www.iscsemi.com 1 FEATURES · Drain Current -ID= -26A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.17Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · High-Side Switches · DC Choppers · Push Pull Amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage -200 V VGS Gate-Source Voltage-Continuous ± 20 V ID Drain Current-Continuous -26 A IDM Drain Current-Single Pulse -70 A PD Total Dissipation 300 W TJ Max. Operating Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 0.42 ℃ /W |
Аналогичный номер детали - IXTP26P20P |
|
Аналогичное описание - IXTP26P20P |
|
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Russian ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
