| поискавой системы для электроныых деталей |
|
2SC5344 датащи(PDF) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC5344 датащи(HTML) 2 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
2 / 3 page ![]() BL Galaxy Electrical Production specification Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SC5344 Document number: BL/SSSTC023 www.galaxycn.com Rev.A 2 Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100μA,IE=0 35 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 B 30 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10μA,IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=35V,IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V,IC=0 0.1 μA DC current gain hFE VCE=1V,IC=100mA 100 320 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=500mA, IB=50mA B 0.5 V Transition frequency fT VCE=5V, IC= 10mA 120 MHz Output capacitance Cob VCB=10V, IE=0,f=1kHz 13 pF CLASSIFICATION OF hFE Rank O Y Range 100-200 160-320 Marking FAO FAY |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |