| поискавой системы для электроныых деталей |
|
APT40N60JCU2 датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
APT40N60JCU2 датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() ISCFM8117 eq APT40N60JCU2 SiC N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 2 THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 0.43 ℃ /W Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Diode 1.21 ℃ /W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0, ID= 1mA 600 -- -- V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 600V, VGS= 0 -- -- 25 uA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±20V, VDS= 0 -- -- ± 100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS, ID= 1mA 2.1 3.0 3.9 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V, ID= 20A -- -- 70 mΩ VSD Forward On-Voltage IS= 60A, VGS= 0 -- 3.85 -- V CHOPPER DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT VF Diode Forward Voltage IF=30A,TJ=25℃ -- 1.6 1.8 V IF= 60A,TJ=25℃ -- 1.9 -- IF=30A,TJ=125℃ -- 1.4 -- IRM Maximum Reverse Leakage Current VR=600V,TJ=25℃ -- -- 250 uA VR=600V,TJ=125℃ -- -- 500 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |