| поискавой системы для электроныых деталей |
|
STTH506DTI датащи(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STTH506DTI датащи(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
|
4 / 5 page ![]() STTH506TDI 4/5 0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50 25 50 75 100 125 T (°C) j I=I Reference: T =125°C F F(AV) j V =400V R IRM S Fig. 8: Relative variation of dynamic parameters versus junction temperature (reference: Tj = 125°C). V (V) FP 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 I=I T =125°C F F(AV) j dI /dt(A/µs) F Fig. 9: Transient peak forward voltage versus dIF/dt (typical values). t (ns) fr 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 100 200 300 400 500 I=I T =125°C F F(AV) j V =1.1 x V max. FR F dI /dt(A/µs) F Fig. 10: Forward recovery time versus dIF/dt (typical values). S 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 I=I T =125°C F F(AV) j V =400V R dI /dt(A/µs) F Fig. 7: Reverse recovery softness factor versus dIF/dt (typical values). C(pF) 1 10 100 1 10 100 1000 V (V) R F=1MHz V =30mV T =25°C OSC RMS j Fig. 11: Junction capacitance versus reverse voltage applied (typical values). |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |