| поискавой системы для электроныых деталей |
|
FZT653TA датащи(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FZT653TA датащи(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Silicon NPN Power Transistor FZT653TA www.iscsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃ unless otherwise specified) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 100uA, IE= 0 120 -- -- V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC=10mA, IB= 0 100 -- -- V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 100uA, IC= 0 7 -- -- V ICEO Collector Cutoff Current VCB= 100V, IE= 0 -- -- 100 nA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V, IC= 0 -- -- 100 nA hFE1 DC Current Gain IC= 50mA, VCE= 2V 70 200 -- hFE2 DC Current Gain IC= 500mA, VCE= 2V 100 200 300 hFE3 DC Current Gain IC= 1A, VCE= 2V 55 110 -- hFE4 DC Current Gain IC= 2A, VCE= 2V 25 55 -- VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1A, IB= 0.1A -- -- 0.3 V IC= 2A, IB= 0.2A -- -- 0.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 1A, IB= 0.1A -- -- 1.25 V VBE(on) Base-Emitter Turn-On Voltage IC= 1A, VCB= 2V -- -- 1.0 V PACKAGE OUTLINE (UNIT: mm) |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |