| поискавой системы для электроныых деталей |
|
FLC02-200D датащи(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FLC02-200D датащи(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
|
3 / 7 page ![]() ELECTRICAL CHARACTERISTICS Symbol Parameters VRM Stand-off voltage VBO Breakover voltage VT On-state voltage drop VF Diode voltage drop IRM Leakage current IBO Breakover current I I F VF V T IRM IBO IBO I T VRM V BO V 1 2 Symbol Test Conditions Value Unit VF IF =2A tp ≤ 1 ms Tj=25 °C MAX 1.7 V DIODE (D) PARAMETER Symbol Test conditions Value Unit IRM VRM = 200 V Tj = 25 °CMAX 10 µA Tj = 120 °C MAX 100 µA VBO at IBO1 Pin 3 (gate) open Tj = 25 °C MAX 250 V IBO 1at VBO Pin 3 (gate) open Tj = 25 °C MAX 0.5 mA IBO 2at VBO Pin 1 (cathode) and pin 3 (gate) in c/c Tj = 25 °C MIN 40 mA VT IT =2A tp ≤ 1ms Tj = 25 °C MAX 1.7 V THYRISTOR (Th) and ZENER (Z) PARAMETERS Fig.1 : Relative variation of breakover current (IBO) versus junction temperature 0 204060 80 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 Tj ( °C) Ibo (Tj) / Ibo (25 °C) IbO2 IbO1 ® FLC02-200D 3/7 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |