| поискавой системы для электроныых деталей |
|
ISL72028ASEHVF датащи(PDF) 20 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISL72028ASEHVF датащи(HTML) 20 Page - Renesas Technology Corp |
|
20 / 25 page ![]() FN8863 Rev.1.00 Page 20 of 25 Jul 27, 2017 ISL72028ASEH 5. Die Characteristics 5. Die Characteristics Table 4. Die and Assembly Related Information Die Information Dimensions 2413µm x 3322µm (95 mils x 130.79 mils) Thickness: 305µm ±25µm (12 mils ±1 mil) Interface Materials Glassivation Type: 12kÅ Silicon Nitride on 3kÅ Oxide Top Metallization Type: 300Å TiN on 2.8µm AlCu In Bondpads, TiN has been removed. Backside Finish Silicon Process P6SOI Assembly Information Substrate Potential Floating Additional Information Worst Case Current Density 1.6x105A/cm2 Transistor Count 4055 Weight of Packaged Device 0.31 grams Lid Characteristics Finish: Gold Potential: Grounded, tied to package pin 2 |
|
|
ссылки URL |
| Вашему бизинису помогли Аллдатащит? [ DONATE ] |
Что такое Аллдатащит | реклама | контакт | Конфиденциальность | Ссылка на техническое описание | обмен ссыками | поиск по производителю All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |